Cella di memoria - da Nova de "Il Sole 24 Ore" del 28.01.2010

All'Università della California di Los Angeles il team di Kang L. Wang ha realizzato una cella di memoria a multilivello, ossia capace di memorizzare bit di informazione su più strati. Pur essendo prodotta partendo da una superficie metallica, gli studiosi sono riusciti a evitare le variazioni di potenziale che limitano il funzionamento di questo tipo di memorie. Il sistema, descritto su "Nano Letters", sfrutta la struttura reticolare dei metalli e funziona a basse temperature in un intervallo di potenziale compreso fra 15 e 18 Volt. I ricercatori hanno spiegato che questa tecnologia costituisce un primo esempio di fabbricazione su scala nanometrica di memorie multilivello e costituisce la premessa per la realizzazione di supporti di memorizzazione ad alta densità. Un' altra strada promettente per aumentare la capacità dei dischi rigidi è stata presentata da James M. Tour, del Rice Quantum Institute di Houston. Il suo gruppo ha realizzato una memoria non volatile sfruttando il ciclo di isteresi di un nanotubo semiconduttore a singola parete di carbonio. (an. car.)